5月22日，由雅时国际（ACT International）主办的2024半导体先进技术创新发展和机遇大会（SAT Con）于苏州召开，会议将针对化合物半导体制造与封装等话题展开产业高端对话。三安集成作为射频前端芯片研发、制造和服务平台，具备丰富的滤波器芯片制造与封装经验，受邀与会并做主题报告。

　　现代通信技术的进步是推动半导体先进技术创新发展的重要推力之一。国际通信协议Release-18即将冻结，对于5G和5.5G的定义也愈发明确，在年初召开的MWC Barcelona大会上，各大运营商、设备商和终端品牌均展示了各自在5G/5.5G领域的战略布局，对射频前端架构和射频前端芯片和性能提出了更高的要求。

　　根据国际咨询机构Yole的报告数据，在智能手机总数增长保守的情况下，射频前端芯片的市场容量将在2028年增长到近200亿元，其中增长的重要助力即是射频前端模组。高端旗舰机型的射频前端模组要求在多元而复杂的场景下保持稳定通信；而入门机型则要求剥离冗余性能，采用更具性价比、更精准的解决方案。三安集成对此表示，在模组化的大趋势中，存在着往两级分化的发展方向，三安集成所提供的射频前端整合解决方案能力，能够全面覆盖客户在不同应用场景下的需求。

　　三安集成的射频前端整合解决方案主要由砷化镓/氮化镓功放代工服务、滤波器产品，以及封测代工组成，在本次会议上针对滤波器晶圆制造和封装制程做了详细展开介绍。三安集成根据客户和市场需求选择了声表面滤波器（SAW）的技术路线并投入研发，在开发压电材料和键合衬底的基础上，发展了高性能的温度补偿型滤波器（TC-SAW），在优化生产结构的同时，产品也能提供优异的插损和满足5G/5.5G应用的功率耐受表现。在封装制程方面，三安集成持续投入先进封装的开发，目前已推出小型化滤波器(Tx/Rx)和双工器(DPX)平台，晶圆级封装(WLP)滤波器芯片也在客户射频前端模组端量产出货。

　　三安集成出席半导体先进技术大会展示键合滤波器晶圆及封装制程

　　三安集成市场产品经理张昊廷表示，三安集成将借助材料端的研发经验，持续发挥垂直整合优势，提供端到端的解决方案能力；通过大规模制造的效应，帮助客户快速响应市场需求，迭代产品，占领市场先机。

　　同场会议中，湖南三安半导体作为碳化硅垂直整合制造服务平台，为在场观众呈现"SiC功率器件的关键技术与标准建设"专题报告，介绍了碳化硅功率芯片的制程及行业标准定义。