4月6日，韩国唯一一家纯晶圆代工公司启方半导体(Key Foundry)宣布，该公司已成功开发出面向汽车半导体应用的第二代0.13微米嵌入式闪存工艺，年内就将全面投入量产。

　　五年多来，启方半导体借助第一代0.13微米嵌入式闪存技术，不断推进微控制器(MCU)、触控(Touch)和自动对焦(Auto Focus)等各种消费类应用产品的量产。最新开发出的第二代0.13微米嵌入式闪存工艺适用于汽车零配件，完全符合AEC-Q100可靠性1级标准。AEC-Q100是一项针对汽车应用的集成电路(IC)可靠性测试认证。要获得1级认证，该IC产品必须在高达125摄氏度的极端温度下，正常运转10年以上，同时还要确保所有闪存的数据完好无损。凭借其深厚的专业积累，以及取得专利的侧壁选择性晶体管单元(SSTC)结构所突显的强大特性，启方半导体将纠错码(ECC)内存添加到嵌入式闪存IP中，成功开发出一种嵌入式闪存技术，并通过了各项AEC-Q100 1级测试。这种设计上的改进提高了该技术的闪存可靠性，成为汽车电子应用的理想之选。

　　启方半导体的一家韩国客户率先将这项新工艺应用到交通收费应答器的MCU产品上。启方半导体自行设计的128Kbyte eFlash IP已嵌入这款通过产品级别测试的产品，今年启动全面量产。这是第一款采用启方半导体嵌入式闪存工艺的汽车应用产品。据该公司预计，该产品的成功开发将有助于把这项技术的应用范围扩展到触控IC、无线充电IC和其他各种汽车产品。

　　与第一代工艺相比，第二代技术在可靠性和成本竞争力上均有明显提升，预计将广泛应用于包括MCU、触控和自动对焦在内的各种消费类应用。此外，在与BCD工艺(双极型-互补金属氧化物半导体-双扩散金属氧化物半导体工艺)相集成后，为各类电源产品带来了合适的解决方案，例如USB Type-C PD(USB C型电源通信协议)、电机驱动IC或无线充电IC等。第二代技术的应用场景有望进一步扩大到具有超低漏电工艺选项的低功耗物联网产品。

　　继0.13微米的第一代和第二代技术之后，启方半导体目前正在开发0.11微米嵌入式闪存工艺。为了满足客户日益追求更高存储密度的需求，该公司打算大幅缩小闪存单元的尺寸，打造出存储密度高达4Mbits的闪存IP。

　　启方半导体首席执行官李泰钟博士(Tae Jong Lee)表示：“首款使用第二代0.13微米嵌入式闪存技术的产品已经开发完成，即将投入量产。我们将充分利用我们积累的技术优势来提供高度可靠且具有成本竞争力的代工服务，并继续提高汽车半导体在我们产品组合中的比例。”