宜特晶圆减薄能力达1.5mil
导言:随5G、物联网、电动车蓬勃发展,对于低功耗要求越来越高,功率半导体成为这些产业势不可挡的必备组件。宜特晶圆后端工艺厂的晶圆减薄能力也随之精进。宜特今宣布,晶圆后端工艺厂,通过客户肯定,成功开发晶圆减薄达1.5mil技术,技术门坎大突破。
随5G、物联网、电动车蓬勃发展,对于低功耗要求越来越高,功率半导体成为这些产业势不可挡的必备组件。宜特(TWSE: 3289)晶圆后端工艺厂的晶圆减薄能力也随之精进。宜特今(1/6)宣布,晶圆后端工艺厂(竹科二厂),通过客户肯定,成功开发晶圆减薄达1.5mil(38um)技术,技术门坎大突破。同时,为更专注服务国际客户,即日起成立宜锦股份有限公司(Prosperity Power Technology Inc)。
使用控片测得2mil、1.5 mil、1.5 mil优化条件后的损坏层厚度及TEM分析宜特指出,功率半导体进行“减薄”,一直都是改善工艺,使得功率组件实现“低功耗、低输入阻抗”最直接有效的方式。晶圆减薄除了有效减少后续封装材料体积外,还可因降低RDS(on)(导通阻抗)进而减少热能累积效应,以增加芯片的使用寿命。
但如何在减薄工艺中降低晶圆厚度,又同时兼顾晶圆强度,避免破片率居高不下之风险自晶圆减薄最大的风险。
为解决此风险,iST宜特领先业界,已完成2mil(50um)、1.5mil(38um),甚至到0.4mil(10um)减薄技术开发,iST宜特更藉由特殊的优化工艺,在降低晶圆厚度的同时,也兼顾晶圆强度,可将研磨损伤层(Damage layer)降到最低。
关于宜特科技
始创于1994年,iST宜特从 IC 线路除错及修改起家,逐年拓展新服务,包括失效分析、可靠性验证、材料分析等,建构完整验证与分析工程平台与全方位服务。客群囊括电子产业上游 IC 设计至中下游成品端,并建置车用电子验证平台、高速传输信号测试。宜特秉持着提供客户完整解决方案的宗旨,从验证领域,跨入“晶圆后端工艺整合”量产服务。
免责声明:
※ 以上所展示的信息来自媒体转载或由企业自行提供,其原创性以及文中陈述文字和内容未经本网站证实,对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本网站不作任何保证或承诺,请读者仅作参考,并请自行核实相关内容。如果以上内容侵犯您的版权或者非授权发布和其它问题需要同本网联系的,请在30日内进行。
※ 有关作品版权事宜请联系中国企业新闻网:020-34333079 邮箱:cenn_gd@126.com 我们将在24小时内审核并处理。
标签 :
相关网文
24小时热点图片