业界率先实现EUV制程第三代10纳米级LPDDR5 DRAM量产

• 实现DRAM量产后，预计生产新一代VNAND与超精细制程的晶圆代工产品
  
• 凭借更快更薄的产品抢占移动设备市场，下一步进军汽车电装市场
  

　　三星电子平泽工厂第二生产线正式开工，首发量产产品是采用了EUV（Extreme Ultraviolet，极紫外光刻）制程的16Gb（吉字节）LPDDR5移动DRAM，开创业界先河。

　　三星电子 16GB LPDDR5

　　三星电子平泽工厂第二生产线的建筑面积达12.89万平方米（相当于16个足球场），是全球最大规模的半导体生产线。

　　平泽工厂第二生产线首先实现DRAM量产，下一步计划生产新一代VNAND、超精细晶圆代工产品等，是一条技术尖端的综合生产线，将确保三星电子在第四次工业革命时代稳居半导体领域的核心地位。

　　平泽工厂第二生产线本次投放的16Gb LPDDR5移动DRAM 达到最大容量和最高速度，是第三代的10纳米（1z）LPDDR5产品，性能超过以往任何一个产品。

　　三星今年2月推出了第二代10纳米级（1y）制程，实现了 16Gb（吉字节）LPDDR5 DRAM的量产，短短六个月后勇攀高峰，再次升级生产线，生产出新一代1z制程的高新移动DRAM。

　　新产品较原有旗舰智能手机使用的12Gb移动DRAM（LPDDR5，速率5500Mb/s）提速16%，达到6400Mb/s。以16Gb产品为准，每秒可处理51.2Gb（吉字节）的数据，相当于10部全高清（Full HD）电影。

　　※ 速率：64帧（x64，JEDEC标准）封装为标准最高可达51.2Gb/s

　　16Gb LPDDR5移动DRAM可以仅由8个芯片构成16Gb的产品，较先前产品（8个12Gb芯片+4个8Gb芯片）在封装厚度上减少30%。从而为多摄像头、5G等零部件较多的智能手机，以及折叠屏手机等对厚度有较高要求的产品提供最佳解决方案。

　　三星作为向全球智能手机企业提供新一代1z16GB移动DRAM的生产商，计划抢占明年兼具5G通信和AI功能的旗舰智能手机新市场。同时三星电子计划提供耐高温性能的产品，有望将供货范围进一步扩大到汽车电装用途。

　　三星电子存储器事业部DRAM开发室副总裁李祯培表示，这次推出的1z纳米16Gb LPDDR5产品克服了史上最难攻克的技术性难关，创造了产品的新典范，突破精细制程的最高界限，未来三星电子的高新DRAM生产线将继续升级，更迅速地应对顾客需求，为扩大存储器市场贡献一份力量。