启方半导体今天宣布其0.18微米高压BCD(双极-CMOS-DMOS)工艺已经开始量产。

　　BCD是一种单片集成工艺技术，它将用于模拟信号控制的双极器件、用于数字信号控制的CMOS和用于高压处理的DMOS同时制作在同一个芯片上。这种工艺适用于各种功率半导体产品，具有高电压、高可靠性、低电子干扰等优点。近年来，随着电子设备系统尺寸的缩小和功率效率的提高变得越来越重要，对合适的功率半导体的需求也越来越大，因此对BCD的需求也在增加。

　　启方半导体为工作电压在8V至150V之间的功率器件提供0.18微米BCD工艺。特别是100V或150V级别的高压功率器件，这些器件适合用来提高智能手机或笔记本电脑中电池充电IC的性能。以使用USB-C型连接器的电池充电为例，使用之前60V BCD工艺设计的充电器IC的充电功率最高可以为100瓦，但如果使用的是150V BCD工艺，充电功率则可以增加到240瓦。这些高压器件还可用来设计大功率工业电机的驱动IC。启方半导体计划在下半年继续完善其高压器件技术，以提供适用于通信和工业设备大功率电压转换器IC的200V级别的高压器件。

　　启方半导体0.18微米150V BCD工艺提供低导通电阻器件，以帮助其无晶圆厂客户在提高电源效率的同时缩小芯片的尺寸。对于电源供电控制和输出微调，启方半导体还提供可选的存储器件，比如SRAM(静态随机存取存储器)、ROM(只读存储器)、MTP(多次可编程存储器)和OTP(一次性可编程存储器)。该公司还为客户提供电机精密控制所需的霍尔传感器器件，帮助他们实现高性能电机驱动IC的设计。

　　启方半导体支持无晶圆厂客户使用该BCD工艺开发并量产适用于智能手机、笔记本电脑和许多家用电器的快速充电器IC、交流-直流IC、直流-直流IC、电机驱动IC和以太网供电(PoE)IC。此外，该BCD工艺还符合国际汽车电子零部件可靠性测试标准AEC-Q100的Grade-0规范，可用于汽车电机驱动IC、直流-直流IC和LED驱动IC。

　　启方半导体首席执行官李泰钟(Tae Jong Lee)博士表示：“近年来为了实现高速电源传输和高功率效率，功率半导体市场对100V或更高电压BCD工艺的需求正在加大。特别是，由于很少有代工厂使用传统体硅衬底硅片提供100V或更高电压BCD工艺，因此不再使用SOI衬底的0.18微米150V BCD工艺的量产有着重要的意义。启方半导体将继续开发工艺技术，以满足功率半导体设计公司的需求。”